|
| ขั้นต่ำ: | 1 ชุด |
| ราคา: | negotiable |
| การบรรจุแบบมาตรฐาน: | PE ถุง + กล่อง |
| ระยะเวลาการจัดส่ง: | 5-10 วัน |
| วิธีการจ่ายเงิน: | T / T, L / C, Paypal |
| ความสามารถในการจัดหา: | 1000sets / วัน |
JY11M N Channel Enhancement Mode Power MOSFET
คำอธิบายทั่วไป
JY11M ใช้เทคนิคการประมวลผลร่องลึกล่าสุดเพื่อให้ได้เซลล์สูง
ความหนาแน่นและลดความต้านทานต่อด้วยคะแนนถล่มซ้ำสูงเหล่านี้
คุณสมบัติต่างๆรวมกันเพื่อให้การออกแบบนี้เป็นอุปกรณ์ที่มีประสิทธิภาพและเชื่อถือได้อย่างมากสำหรับ
ใช้ในแอปพลิเคชั่นเปลี่ยนไฟและแอพพลิเคชั่นอื่น ๆ อีกมากมาย
คุณสมบัติ
● 100V / 110A, RDS (เปิด) =6.5mΩ@VGS= 10V
●การสลับอย่างรวดเร็วและการฟื้นตัวของร่างกายย้อนกลับ
●แรงดันและกระแสถล่มที่โดดเด่นอย่างเต็มที่
●แพคเกจที่ยอดเยี่ยมสำหรับการกระจายความร้อนที่ดี
การใช้งาน
●การสลับแอปพลิเคชัน
●วงจรฮาร์ดสวิทช์และความถี่สูง
●การจัดการพลังงานสำหรับระบบอินเวอร์เตอร์
คะแนนสูงสุดแน่นอน (Tc = 25ºCเว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น)
| สัญลักษณ์ | พารามิเตอร์ | ขีด จำกัด | หน่วย | |
| วีDS | แรงดันไฟฟ้าจากแหล่งระบายน้ำ | 100 | วี | |
| วีGS | แรงดันเกต - ซอร์ส | ± 20 | วี | |
| ผมง | ท่อระบายน้ำอย่างต่อเนื่อง ปัจจุบัน |
Tc = 25ºค | 110 | ก |
| Tc = 100ºค | 82 | |||
| ผมDM | กระแสไฟเดรนแบบพัลซิ่ง | 395 | ก | |
| ปง | การกระจายพลังงานสูงสุด | 210 | ว | |
| ทีเจ ทีSTG | จุดเชื่อมต่อการทำงานและอุณหภูมิในการจัดเก็บ พิสัย |
-55 ถึง +175 | ºค | |
| รθJC | ความต้านทานความร้อน - Junction to Case | 0.65 | ºC / W | |
| รθJA | ความต้านทานความร้อน - Junction to Ambient | 62 |
ลักษณะทางไฟฟ้า (Ta = 25ºCเว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น)
| สัญลักษณ์ | พารามิเตอร์ | เงื่อนไข | นาที | ประเภท | สูงสุด | หน่วย |
| ลักษณะคงที่ | ||||||
| BVDSS | แหล่งระบายน้ำ แรงดันพังทลาย |
วีGS= 0V, IDS= 250uA | 100 | วี | ||
| ผมDSS | Zero Gate แรงดันไฟฟ้า ท่อระบายน้ำปัจจุบัน |
วีDS= 100V, โวลต์GS= 0V | 1 | uA | ||
| ผมGSS | การรั่วไหลของประตู - ตัวถัง ปัจจุบัน |
วีGS=± 20V, โวลต์DS= 0V | ± 100 | ไม่มี | ||
| วีGS (ธ ) | เกณฑ์ประตู แรงดันไฟฟ้า |
วีDS= VGS, ผมDS= 250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | วี |
| รDS (เปิด) | แหล่งระบายน้ำ ความต้านทานต่อสถานะ |
วีGS= 10V, IDS= 40A | 6.5 | mΩ | ||
| กFS | ส่งต่อ ทรานส์คอนดัคแตนซ์ |
วีDS= 50V, IDS= 40A | 100 | ส |
ดาวน์โหลดคู่มือผู้ใช้ JY11M
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
|
|
| ขั้นต่ำ: | 1 ชุด |
| ราคา: | negotiable |
| การบรรจุแบบมาตรฐาน: | PE ถุง + กล่อง |
| ระยะเวลาการจัดส่ง: | 5-10 วัน |
| วิธีการจ่ายเงิน: | T / T, L / C, Paypal |
| ความสามารถในการจัดหา: | 1000sets / วัน |
JY11M N Channel Enhancement Mode Power MOSFET
คำอธิบายทั่วไป
JY11M ใช้เทคนิคการประมวลผลร่องลึกล่าสุดเพื่อให้ได้เซลล์สูง
ความหนาแน่นและลดความต้านทานต่อด้วยคะแนนถล่มซ้ำสูงเหล่านี้
คุณสมบัติต่างๆรวมกันเพื่อให้การออกแบบนี้เป็นอุปกรณ์ที่มีประสิทธิภาพและเชื่อถือได้อย่างมากสำหรับ
ใช้ในแอปพลิเคชั่นเปลี่ยนไฟและแอพพลิเคชั่นอื่น ๆ อีกมากมาย
คุณสมบัติ
● 100V / 110A, RDS (เปิด) =6.5mΩ@VGS= 10V
●การสลับอย่างรวดเร็วและการฟื้นตัวของร่างกายย้อนกลับ
●แรงดันและกระแสถล่มที่โดดเด่นอย่างเต็มที่
●แพคเกจที่ยอดเยี่ยมสำหรับการกระจายความร้อนที่ดี
การใช้งาน
●การสลับแอปพลิเคชัน
●วงจรฮาร์ดสวิทช์และความถี่สูง
●การจัดการพลังงานสำหรับระบบอินเวอร์เตอร์
คะแนนสูงสุดแน่นอน (Tc = 25ºCเว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น)
| สัญลักษณ์ | พารามิเตอร์ | ขีด จำกัด | หน่วย | |
| วีDS | แรงดันไฟฟ้าจากแหล่งระบายน้ำ | 100 | วี | |
| วีGS | แรงดันเกต - ซอร์ส | ± 20 | วี | |
| ผมง | ท่อระบายน้ำอย่างต่อเนื่อง ปัจจุบัน |
Tc = 25ºค | 110 | ก |
| Tc = 100ºค | 82 | |||
| ผมDM | กระแสไฟเดรนแบบพัลซิ่ง | 395 | ก | |
| ปง | การกระจายพลังงานสูงสุด | 210 | ว | |
| ทีเจ ทีSTG | จุดเชื่อมต่อการทำงานและอุณหภูมิในการจัดเก็บ พิสัย |
-55 ถึง +175 | ºค | |
| รθJC | ความต้านทานความร้อน - Junction to Case | 0.65 | ºC / W | |
| รθJA | ความต้านทานความร้อน - Junction to Ambient | 62 |
ลักษณะทางไฟฟ้า (Ta = 25ºCเว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น)
| สัญลักษณ์ | พารามิเตอร์ | เงื่อนไข | นาที | ประเภท | สูงสุด | หน่วย |
| ลักษณะคงที่ | ||||||
| BVDSS | แหล่งระบายน้ำ แรงดันพังทลาย |
วีGS= 0V, IDS= 250uA | 100 | วี | ||
| ผมDSS | Zero Gate แรงดันไฟฟ้า ท่อระบายน้ำปัจจุบัน |
วีDS= 100V, โวลต์GS= 0V | 1 | uA | ||
| ผมGSS | การรั่วไหลของประตู - ตัวถัง ปัจจุบัน |
วีGS=± 20V, โวลต์DS= 0V | ± 100 | ไม่มี | ||
| วีGS (ธ ) | เกณฑ์ประตู แรงดันไฟฟ้า |
วีDS= VGS, ผมDS= 250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | วี |
| รDS (เปิด) | แหล่งระบายน้ำ ความต้านทานต่อสถานะ |
วีGS= 10V, IDS= 40A | 6.5 | mΩ | ||
| กFS | ส่งต่อ ทรานส์คอนดัคแตนซ์ |
วีDS= 50V, IDS= 40A | 100 | ส |
ดาวน์โหลดคู่มือผู้ใช้ JY11M
