|
รายละเอียดสินค้า:
|
| แรงดันไฟฟ้าจากแหล่งระบายน้ำ: | 600 V | แรงดันเกต - ซอร์ส: | ± 30V |
|---|---|---|---|
| การกระจายพลังงานสูงสุด: | 33W | กระแสไฟเดรนแบบพัลซิ่ง: | 16A |
| ใบสมัคร: | โคมไฟ | รูปร่าง: | สี่เหลี่ยม |
| แสงสูง: | n channel power mosfet,n channel mosfet high side switch,power mosfet motor controller |
||
แพ็คเกจ JY16M N Channel 600V TO220F-3
Enhancement Mode Power MOSFET สำหรับไดรเวอร์มอเตอร์ BLDC
คำอธิบายทั่วไป
JY16M ใช้เทคนิคการประมวลผลร่องลึกล่าสุดเพื่อให้ได้เซลล์สูง
ความหนาแน่นและลดความต้านทานต่อด้วยคะแนนถล่มซ้ำสูงเหล่านี้
คุณสมบัติต่างๆรวมกันเพื่อให้การออกแบบนี้เป็นอุปกรณ์ที่มีประสิทธิภาพและเชื่อถือได้อย่างมากสำหรับ
ใช้ในแอปพลิเคชั่นเปลี่ยนไฟและแอพพลิเคชั่นอื่น ๆ อีกมากมาย
คุณสมบัติ
● 600V / 4A, RDS (เปิด) =2.6Ω@VGS= 10V
●การสลับอย่างรวดเร็วและการฟื้นตัวของร่างกายย้อนกลับ
●แพคเกจที่ยอดเยี่ยมสำหรับการกระจายความร้อนที่ดี
การใช้งาน
●แสงสว่าง
●แหล่งจ่ายไฟโหมดสวิตช์ประสิทธิภาพสูง
คะแนนสูงสุดแน่นอน (Tc = 25ºCเว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น)
| สัญลักษณ์ | พารามิเตอร์ | คะแนน | หน่วย | |
| วีDS | แรงดันไฟฟ้าจากแหล่งระบายน้ำ | 600 | วี | |
| วีGS | แรงดันเกต - ซอร์ส | ± 30 | วี | |
| ผมง | ท่อระบายน้ำอย่างต่อเนื่อง ปัจจุบัน |
Tc = 25ºค | 4 | ก |
| Tc = 100ºค | 2.9 | |||
| ผมDM | กระแสไฟเดรนแบบพัลซิ่ง | 16 | ก | |
| ปง | การกระจายพลังงานสูงสุด | 33 | ว | |
| ทีเจ ทีSTG | จุดเชื่อมต่อการทำงานและอุณหภูมิในการจัดเก็บ พิสัย |
-55 ถึง +150 | ºค | |
| รθJC | ความต้านทานความร้อน - Junction to Case | 1.5 | ºC / W | |
| รθJA | ความต้านทานความร้อน - Junction to Ambient | 62 |
ลักษณะทางไฟฟ้า (Tc = 25ºCเว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น)
| สัญลักษณ์ | พารามิเตอร์ | เงื่อนไข | นาที | ประเภท | สูงสุด | หน่วย |
| ลักษณะคงที่ | ||||||
| BVDSS | แหล่งระบายน้ำ แรงดันพังทลาย |
วีGS= 0V, IDS= 250uA | 600 | วี | ||
| ผมDSS | Zero Gate แรงดันไฟฟ้า ท่อระบายน้ำปัจจุบัน |
วีDS= 600V, โวลต์GS= 0V | 1 | uA | ||
| ผมGSS | การรั่วไหลของประตู - ตัวถัง ปัจจุบัน |
วีGS=± 30V, โวลต์DS= 0V | ± 100 | ไม่มี | ||
| วีGS (ธ ) | เกณฑ์ประตู แรงดันไฟฟ้า |
วีDS= VGS, ผมDS= 250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | วี |
| รDS (เปิด) | แหล่งระบายน้ำ ความต้านทานต่อสถานะ |
วีGS= 10V, IDS= 4A | 2.6 | 2.8 | Ω |
ลักษณะทางไฟฟ้า (Tc = 25ºCเว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น)
| สัญลักษณ์ | พารามิเตอร์ | เงื่อนไข | นาที | ประเภท | สูงสุด | หน่วย |
| ลักษณะไดโอด Drain-Source | ||||||
| วีSD | ไดโอดไปข้างหน้า แรงดันไฟฟ้า |
วีGS= 0V, ISD= 2A | 1.5 | วี | ||
| Trr | ย้อนเวลาการกู้คืน | ผมSD= 4A ดิ / dt = 100A / us |
260 | ns | ||
| Qrr | Reverse Recovery Charge | 1.5 | nC | |||
| ลักษณะไดนามิก | ||||||
| รช | ความต้านทานประตู | วีGS= 0V, โวลต์DS= 0V, f = 1 เมกะเฮิร์ตซ์ |
5 | Ω | ||
| ทีd (เปิด) | เวลาหน่วงเวลาเปิดเครื่อง | วีDS= 300V, รช= 25 โอห์ม ผมDS = 4A, V.GS= 10V, |
15 | ns | ||
| ทร | เปิดเวลาเพิ่มขึ้น | 48 | ||||
| ทีd (ปิด) | ปิด - ปิดเวลาล่าช้า | 28 | ||||
| ทีฉ | ปิดเวลาตก | 35 | ||||
| คสถานีอวกาศนานาชาติ | ความจุอินพุต | วีGS =0V, วีDS= 25V, f = 1.0MHz |
528 | pF | ||
| คOSS | ความจุเอาท์พุท | 72 | ||||
| คRSS | โอนย้อนกลับ ความจุ |
9 | ||||
| ถามก | ค่าประตูรวม | วีDS= 480V, Iง= 4A, วีGS= 10V |
16 | nC | ||
| ถามgs | เกต - ซอร์สชาร์จ | 3.5 | ||||
| ถามgd | ค่าประตู - ท่อระบายน้ำ | 7.1 |
ดาวน์โหลดคู่มือผู้ใช้ JY16M
ผู้ติดต่อ: Mr. Amigo Deng
โทร: +86-18994777701
แฟกซ์: 86-519-83606689
