JY4P7M P Channel Enhancement Mode Power MOSFET สำหรับโหลดกระแสไฟสูง

JY4P7M P Channel Enhancement Mode Power MOSFET สำหรับการใช้งานโหลดสูงในปัจจุบัน

คำอธิบายทั่วไป

ในแอพพลิเคชั่นโหลดสูง JY4P7M พิสูจน์แล้วว่าเป็นอุปกรณ์ที่เชื่อถือได้และมีประสิทธิภาพอย่างยิ่งทำให้ได้เซลล์ที่มีความหนาแน่นสูงและลดการต้านทานได้อย่างมีประสิทธิภาพด้วยการใช้เทคนิคการประมวลผลร่องลึกล้ำยุคนอกจากนี้ อุปกรณ์ยังมีการชาร์จที่ต่ำซึ่งช่วยเพิ่มประสิทธิภาพให้ดียิ่งขึ้นไปอีกรับรายละเอียดเพิ่มเติมกรุณาคลิกที่นี่.

คุณสมบัติ

● ‐40V/ ‐70A, RDS(เปิด) ≤10mΩ@VGS= ‐10V
● การออกแบบเซลล์ความหนาแน่นสูงสำหรับ Rdson ที่ต่ำเป็นพิเศษ
● แรงดันและกระแสหิมะถล่มที่โดดเด่นอย่างเต็มที่
● แพคเกจที่ยอดเยี่ยมสำหรับการกระจายความร้อนที่ดี

แอพพลิเคชั่น

● สวิตช์โหลดในแอปพลิเคชันกระแสสูง
● การจัดการพลังงานสำหรับระบบอินเวอร์เตอร์

คำอธิบาย PIN

TO252 โครงร่างแพ็คเกจ

รูปภาพ