JY12M N และ P Chennel 30V MOSFET พร้อมความเร็วในการสลับที่รวดเร็วสำหรับอินเวอร์เตอร์

JY12M N และ P Chennel 30V MOSFET พร้อมความเร็วในการสลับที่รวดเร็วสำหรับแอพพลิเคชั่นอินเวอร์เตอร์

คำอธิบายทั่วไป

JY12M เป็นทรานซิสเตอร์สนามพลังงานชนิดหนึ่งที่ออกแบบในโหมดเพิ่มประสิทธิภาพลอจิก N และ P Channelทรานซิสเตอร์เหล่านี้ผลิตขึ้นโดยใช้เทคโนโลยีร่องลึก DMOS ที่มีความหนาแน่นของเซลล์สูง ซึ่งช่วยให้มีลักษณะการทำงานที่ยอดเยี่ยมกระบวนการผลิตที่มีความหนาแน่นสูงของเทคนิคการผลิตได้รับการปรับให้เหมาะสมโดยเฉพาะเพื่อลดความต้านทานต่อสถานะ ซึ่งนำไปสู่การเพิ่มประสิทธิภาพ

ทรานซิสเตอร์พลังงานเหล่านี้เหมาะอย่างยิ่งสำหรับการใช้งานแรงดันไฟฟ้าต่ำ เช่น การจัดการพลังงานในโทรศัพท์มือถือ คอมพิวเตอร์โน้ตบุ๊ก และวงจรไฟฟ้าอื่นๆ ที่ใช้พลังงานจากแบตเตอรี่พวกเขาเก่งในสถานการณ์ที่การสลับด้านสูงและการสูญเสียพลังงานน้อยที่สุดเป็นข้อกำหนดที่สำคัญนอกจากนี้ JY12M ยังได้รับการออกแบบในแพ็คเกจการติดตั้งพื้นผิวโครงร่างขนาดเล็กมาก ทำให้สามารถรวมเข้ากับระบบอิเล็กทรอนิกส์ที่มีขนาดกะทัดรัดและประหยัดพื้นที่

โดยสรุป ทรานซิสเตอร์สนามพลังงาน JY12M ใช้เทคโนโลยีร่องลึก DMOS ความหนาแน่นของเซลล์สูง ส่งผลให้ความต้านทานในสถานะลดลงเหมาะอย่างยิ่งสำหรับการใช้งานแรงดันไฟฟ้าต่ำ โดยเฉพาะอย่างยิ่งในสถานการณ์ที่จำเป็นต้องมีการสลับด้านสูงที่มีประสิทธิภาพและสูญเสียพลังงานน้อยที่สุดแพ็คเกจติดตั้งบนพื้นผิวขนาดกะทัดรัดช่วยเพิ่มความอเนกประสงค์และความสามารถในการรวมเข้าด้วยกัน

แผ่นข้อมูล:JY12M.pdf

คุณสมบัติ

● ความจุอินพุตต่ำ

● ความเร็วในการสลับที่รวดเร็ว

แอปพลิเคชัน

● การจัดการพลังงาน

● ตัวแปลง DC/DC

● การควบคุมมอเตอร์กระแสตรง

● แอลซีดีทีวีและมอนิเตอร์ ดิสเพลย์อินเวอร์เตอร์

● อินเวอร์เตอร์ CCFL

การกำหนดค่า PIN

SOP-9 โครงร่างบรรจุภัณฑ์

รูปภาพ